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考夫曼離子源創(chuàng)始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美國出生, 1951年加入美國 NASA 路易斯研究中心, 60年代 考夫曼博士發(fā)明了電子轟擊離子推進(jìn)器并以他的名字命名(考夫曼推進(jìn)器). 1969年美國航空航天學(xué)會 AIAA 授予他 James H. Wyld 推進(jìn)獎, 1970年考夫曼推進(jìn)器贏得了IR 100 (前身研發(fā)100獎), 1971年考夫曼博士獲得美國宇航局杰出服務(wù)獎.
2016年, 美國 NASA 宇航局將 Harold Kaufman 博士列入格倫研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國科羅拉多州的柯林斯堡創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 簡稱 KRI, 研發(fā)生產(chǎn)商用寬束離子源和電源控制器. 為世界各地的高科技企業(yè),真空系統(tǒng)設(shè)備商和研究機(jī)構(gòu)提供先進(jìn)的解決方案. 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
KRI 離子源主要產(chǎn)品
上海伯東美國 KRI 離子源是以真空為基礎(chǔ)的加工工具, 在原子水平上與材料相互作用, 適用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 等, KRI 提供無柵極離子源和柵極離子源, 類型包含, , 和電源控制器, 共計超過 25種規(guī)格, 全球累積銷售 3500+ 臺!
RFICP 系列技術(shù)規(guī)格:
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型號 |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
|
離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
||||
KDC 系列技術(shù)規(guī)格:
|
型號 |
|
|
|
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|
|
Discharge 陽極 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
|
離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
|
直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
|
中和器 |
燈絲 |
||||
eH 系列技術(shù)規(guī)格:
|
型號 |
|
|
|
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|
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Cathode/Neutralizer |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
HC |
|
陽極電壓 |
50-300V |
50-300V |
100-300V |
50-300V |
50-250V |
|
電流 |
5A |
10A |
10A |
10A |
20A |
|
散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
|
氣體流量 |
2-25sccm |
2-50sccm |
2-50sccm |
2-75sccm |
5-100sccm |
|
高度 |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
|
直徑 |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
|
水冷 |
可選 |
可選 |
可選 |
是 |
可選 |
KRI 離子源主要應(yīng)用
作為一種新興的材料加工技術(shù), 上海伯東美國 KRI 考夫曼憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助您獲得理想的薄膜和材料表面性能. 美國 KRI 考夫曼主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.
離子清洗和輔助鍍膜: 霍爾離子源加裝于真空腔內(nèi), 對樣品進(jìn)行預(yù)清洗和輔助鍍膜
離子清洗和濺射鍍膜: 射頻離子源加裝于真空腔內(nèi), 對樣品進(jìn)行預(yù)清洗和濺射鍍膜
在高倍顯微鏡下檢視脫膜測試
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測試結(jié)果
--------- 使用其他品牌離子源--- --------------------- 使用美國考夫曼 KRI RFICP 325 離子源 ----------------------
從上圖可以清楚看出, 使用其他品牌離子源, 樣品存在崩邊的問題; 使用上海伯東美國 KRI 離子源, 樣品無崩邊
多項專利
美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專 利, 在此領(lǐng)域中, KRI 離子源是公認(rèn)的, KRI 團(tuán)隊成員撰寫了超過 100篇文章, 出版物, 書籍和技術(shù)論文,為推進(jìn)寬波束設(shè)備和材料加工領(lǐng)域行業(yè)的知識體系做出貢獻(xiàn)!
上海伯東是美國考夫曼 Kaufman & Robinson, Inc 中國總代理. 美國考夫曼公司已廣泛應(yīng)用于離子濺射鍍膜 IBSD. 考夫曼可控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使濺射時靶材被轟擊出具有中和性材料分子而獲得高致密, 高質(zhì)量之薄膜. 考夫曼可依客戶濺射工藝條件選擇 RFICP 射頻電源式考夫曼或是 KDC 直流電原式考夫曼.
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