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應(yīng)用于金屬熱蒸鍍設(shè)備 Metal Thermal Evaporation System
熱蒸發(fā)是物理 氣相沉積 PVD 中最常用方法. 使用電加熱的蒸發(fā)源可用于沉積大多數(shù)的有機(jī)和無機(jī)薄膜, 其中以電阻式加熱法最為常見. 這些蒸發(fā)源的優(yōu)點(diǎn)為它們可以提供一種簡單的薄膜沉積方法, 以電流通過其容納材料的舟為方式, 從而加熱材料. 當(dāng)沉積材料的蒸氣壓超過真空室的溫度時(shí), 材料將開始蒸發(fā)并沉積到基板上并且在于熱蒸發(fā)時(shí)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 且薄膜的厚度和均勻度小于 +/- 3％. 上海伯東美國 可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.
----------- 金屬熱蒸鍍設(shè)備 Metal Thermal Evaporation System ----------
KRI RFICP 系列技術(shù)參數(shù):
|
型號 |
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|
|
|
|
|
Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
||||
KRI KDC 技術(shù)參數(shù):
|
型號 |
|
|
|
|
|
|
Discharge 陽極 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
DC 電流 |
|
離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
|
直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
|
中和器 |
燈絲 |
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