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中芯發(fā)布公告稱，公司就購買用于生產(chǎn)晶圓的阿斯麥產(chǎn)品與阿斯麥集團(tuán)簽訂購買單，根據(jù)阿斯麥購買單購買的阿斯麥產(chǎn)品定價(jià)，阿斯麥購買單的總代價(jià)為 1201590 美元。這部分主要為 duv 光刻機(jī)。
今日，據(jù)財(cái)聯(lián)社，透露，中芯正在努力重新獲得訂單，是其 14nm finfet 工藝訂單。(it之家注：finfet 工藝是指鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝，該工藝可大幅電路控制并減少漏電流，還可以大幅晶體管的柵長。)it之家了解到，3 月 10 日，據(jù)選股寶，從供應(yīng)鏈獲悉，中芯 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝，水準(zhǔn)達(dá)約 90 -95 。目前，中芯各制程產(chǎn)能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
據(jù)中芯介紹，中芯是的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是內(nèi)地技術(shù)，配套完善，規(guī)模大，跨國經(jīng)營的集成電路制造企業(yè)。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圓廠，一座 200mm 晶圓廠和一座實(shí)際控股的 300mm 設(shè)備制程晶圓合資廠;在北京建有一座 300mm 晶圓廠和一座控股的 300mm 晶圓廠;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圓廠;在江陰有一座控股的 300mm 合資廠。
ddr4以前瞻性的高傳輸速率、v- 低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導(dǎo)入英特爾工作站／伺服器以及桌上型電腦平臺(tái)，并與lp-ddr3存儲(chǔ)器將同時(shí)存在一段時(shí)間；至于nand flash快閃存儲(chǔ)器也跨入1x 制程，mlc將以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹寫次數(shù)（program erase；p/e）來搶占要求耐受度的軍方與工控市場(chǎng)，而c/p值高的tlc從隨碟、記憶卡的應(yīng)用導(dǎo)向低端ssd… ddr4伺服器先行 2016ddr3成為主流TPS7B4254QDDARQ1 TPS7A1601QDGNRQ1 TPS25944LRVCR MMA8453QR1 TJA1044GT/3Z TJA1057GT/3J TJA1042TK/3/1J TJA1029TK,118 TJA1048TK,118 TJA1051TK/3,118 AD8603AUJZ-REEL7 ADUM1100ARZ-RL7 ADM3251EARWZ-REEL PIC32MX795F512L-80I/PT PIC32MX695F512L-80I/PT TJA1046TKZ TJA1028TK/5V0/20/1 TJA1043TK/1Y MPVZ5004GW7U MCIMX6U6AVM10AD DRV8835DSSR CSD19536KTTT TPS7A3701DRVT PIC18LF47K40T-I/PT PIC32MX695F512LT-80I/PT MIC4422ZT
