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IXFH4N100Q-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFH4N100Q

作者:深圳市強元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時間:2023-06-10 瀏覽:15
IXFH4N100Q-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFH4N100Q

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IXFH4N100Q-ASEMI代理艾賽斯MOSIXFH4N100Q

型號:IXFH4N100Q

品牌:IXYS/艾賽斯

封裝:TO-247

漏源電流:4A

漏源擊穿電壓:1000V

RDSONMax3Ω

引腳數(shù)量:3

工作溫度:-55~150

溝道類型:N溝道MOS管、高壓MOS

IXFH4N100Q特點

低柵極電荷和電容

-更易于駕駛

-更快的切換

國際標(biāo)準包裝

RDS低(打開)

無阻尼感應(yīng)開關(guān)(UIS

額定的,額定的

可燃性分類

IXFH4N100Q概述:

IXFH4N100Q是歡迎的功率MOSFET適用于硬開關(guān)和諧振模式應(yīng)用,提供低柵極電荷和快速本征二極管的優(yōu)異耐用性。有許多標(biāo)準工業(yè)包裝可供選擇,包括隔離型。

鄭重聲明:資訊 【IXFH4N100Q-ASEMI代理艾賽斯MOS管IXFH4N100Q】由 深圳市強元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.5ix2s.cn)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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