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成都回收金士頓沒打字內(nèi)存K9F8G08U0M-PCB0

作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時間:2023-05-12 瀏覽:8

25小時在線 158-8973同步7035 可微可電

當(dāng)今的算法主要是軟硬件算法兩大路徑:使用cpu來驅(qū)動算法,雖然部署簡便,但由于cpu發(fā)展面臨瓶頸,時延難以突破,因此缺乏市場競爭力,硬件算法方式需要開發(fā)商基于it系統(tǒng)進(jìn)行設(shè)計和架構(gòu),雖然因一定程度解決時延問題具備較強(qiáng)的競爭力,但成本高且交付周期長,潛在風(fēng)險大;而從軟件算法轉(zhuǎn)換成硬件方式,門檻則非常高。
如何困擾當(dāng)今眾多廠商面臨的這些挑戰(zhàn)、幫助客戶無需硬件開發(fā)就可以達(dá)到微秒級的低時延要求?
賽靈思推出的 alveo smartnic sn1000加速卡就是這樣一個開箱即用的加速算法解決方案。
2×100gb的alveo sn1000是業(yè)界硬件可組合式smartnic,符合數(shù)據(jù) 封裝的尺寸需求,而功耗僅為75瓦。sn1000采用16核nxp arm soc構(gòu)建,ultrascale+ fpga架構(gòu)、arm的子系統(tǒng)以及可編程的viits networking等特性,可滿足市場不斷變化的需求。
由于預(yù)行了硬件加速,sn1000 smartnic稍加配置即可對遠(yuǎn)程存儲、nvme或其他流量以及安和防火墻進(jìn)行加速,實(shí)現(xiàn)了開箱即用、即插即用,同時維持相關(guān)性能不變。
sn1000 的另一個特性是,可以非常方便地移除預(yù)制某些功能,然后基于其統(tǒng)一軟件平臺vitis新打造的vitis networking,使用類似p4這樣的語言對數(shù)據(jù)面進(jìn)行編程,也可以使用c和c++的語言對于arm進(jìn)行控制和流量的管理,滿足客戶自認(rèn)為非常重要的應(yīng)用領(lǐng)域。無論是配置還是加速,均可由賽靈思或客戶來實(shí)現(xiàn),亦可由客戶的客戶或 的軟件和ip合作伙伴來實(shí)現(xiàn)。這體現(xiàn)了賽靈思所提供的的可編程的靈。

 

隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏(macronix)在2006年提出multi tft(thin film transistor)的堆疊nand設(shè)計概念,同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器,2007年東芝發(fā)表bics,2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat,2010年旺宏發(fā)表vg tft,2011發(fā)表pnvg tft,同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會,旺宏公布以75 制程,tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg(垂直閘) 3d nand技術(shù)。預(yù)計2012年進(jìn)入55nm制程,2013年進(jìn)入36nm制程,2015年進(jìn)入2xnm制程,制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星(samsung)同樣于2006年發(fā)表stacked nand,2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月,三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片,采用基于3d ctf(charge trap flash)技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu),單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量,比目前20nm平面nand flash多兩倍,性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者,v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟,從2013年 四季開始,陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測試。  L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT

鄭重聲明:資訊 【成都回收金士頓沒打字內(nèi)存K9F8G08U0M-PCB0】由 深圳市東域電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.5ix2s.cn)證實(shí),請讀者僅作參考,并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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