25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團(tuán)與意法半導(dǎo)體就碳化硅(sic)晶圓長(zhǎng)期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡(jiǎn)稱“st”），雙方就碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“sic”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的sicrystal gmbh （以下簡(jiǎn)稱“sicrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長(zhǎng)期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長(zhǎng)的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由sicrystal（sic晶圓生產(chǎn)量歐洲）向st（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會(huì)上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實(shí)現(xiàn)50w快充，體積小巧便攜。
臺(tái)積電將與意法半導(dǎo)體合作，加速gan制程技術(shù)開(kāi)發(fā)
臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⒔唤o客戶。臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導(dǎo)入市場(chǎng)。透過(guò)此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術(shù)
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴(kuò)展其方位的碳化硅（sic）產(chǎn)品組合，新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應(yīng)用對(duì)于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務(wù)器、電信和工業(yè)smps、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源儲(chǔ)存和化成電池、ups、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門(mén)協(xié)理steffen metzger說(shuō)，推出這項(xiàng)產(chǎn)品后，英飛凌在600v/650v電源領(lǐng)域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。
  處理器（cpu）、繪圖芯片（gpu）運(yùn)算效能隨摩爾定律而飛快進(jìn)展，加上云端運(yùn)算、網(wǎng)際網(wǎng)路行動(dòng)化浪潮下，持續(xù)驅(qū)動(dòng)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（dynamic ram；dram）的規(guī)格進(jìn)化。從非同步的dip、edo dram，到邁向同步時(shí)脈操作的sdram開(kāi)始，以及訊號(hào)上下緣觸發(fā)的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存儲(chǔ)器，甚至導(dǎo)入20 與新型態(tài)的wide i/o介面以降低訊號(hào)腳位數(shù)與整體功耗。  處理器速度與云端運(yùn)算持續(xù)驅(qū)動(dòng)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器規(guī)格的演變，從dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G