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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？?。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù)，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
隨著nand flash制程進步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時已降為3，000 p/e、24~40個ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲器解決方案，以運用既有的低成本的mlc存儲器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫技術(shù)（只儲存單一位元的電荷值），抹寫度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機板以及薄型終端機等。 TCAN1042HVDR TLE7230R STM32G070CBT6 R5S72643P144FP#UZ WM8772SEDS/RV AK4113VF SM5907AF UPD7225GB-3B7 UPD9281 UPD16316 TDF8541TH/N2 MC74ACT244DTR2G MCP121T-450E/TT MCP1416T-E/OT MCP14E5-E/SN MCP1665T-E/MRA MCP1711T-22I/OT MCP3208-BI/SL MCP3208T-BI/SL SSM3J331R SSM3J334R SSM3K15AFS,LF(T SSM3K324R,LF(T