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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器（此處簡(jiǎn)稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是nvm，其記錄速度也非常快。
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。nand的存儲(chǔ)單元只有nor的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲(chǔ)卡上。
nand 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁(yè)和塊為單位來(lái)進(jìn)行（一頁(yè)包含若干字節(jié)，若干頁(yè)則組成儲(chǔ)存塊， nand 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過(guò) 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個(gè)，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無(wú)法修，性較 nor 閃存要差。
2020年，營(yíng)收創(chuàng)下歷史新高、v- 利潤(rùn)創(chuàng)下歷史新高、研發(fā)投入/資本開支創(chuàng)下歷史新高的半導(dǎo)體雙雄，臺(tái)積電和聯(lián)發(fā)科，在資本市場(chǎng)也是。昨日，臺(tái)積電股價(jià)沖上540新臺(tái)幣，市值14萬(wàn)億新臺(tái)幣，創(chuàng)下歷史新高；聯(lián)發(fā)科股價(jià)達(dá)到790新臺(tái)幣，市值達(dá)到1.25萬(wàn)億，也創(chuàng)下歷史新高。臺(tái)積電2021年的制程產(chǎn)能依舊，雖然因美國(guó)失去了海思半導(dǎo)體這個(gè)大客戶，但其他芯片依然。甚至一向“”的英特爾，也可能將5nm訂單委托為臺(tái)積電代工。臺(tái)積電預(yù)計(jì)2021年資本開支將至200億美元。聯(lián)發(fā)科2020年?duì)I收突破100億美元大關(guān)， 三季度手機(jī)芯片市場(chǎng)份額一次超過(guò)高通，以31 另一種稱為動(dòng)態(tài)ram（dynamic ram/dram），dram保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比sram慢，不過(guò)它還是比的rom都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)dram相比sram要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是dram的。
