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ASE50N03-ASEMI低壓N溝道MOS管ASE50N03
型號(hào):ASE50N03
品牌:ASEMI
封裝:TO-252
大漏源電流:50A
漏源擊穿電壓:30V
RDS(ON)Max:5.8mΩ
引腳數(shù)量:3
溝道類型:N溝道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏電流:
恢復(fù)時(shí)間:5ns
芯片材質(zhì):
封裝尺寸:如圖
特性:低壓MOS管、N溝道MOS管
工作結(jié)溫:-55℃~150℃
ASE50N03場(chǎng)效應(yīng)管
ASE50N03的電性參數(shù):大漏源電流50A;漏源擊穿電壓30V
特征:
低固有電容。
出色的開(kāi)關(guān)特性。
擴(kuò)展操作區(qū)域。
無(wú)與倫比的柵極電荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=30V,Id=50A
RDS(開(kāi)):5.8m? (大值)@VG=10V