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采用flash介質時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數是一百萬次,而nor的擦寫次數是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當的技巧,,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅動還用于對diskonchip產品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
處理器芯片是智能手機的，芯片短缺可能會影響三星及其他 android 制造商的生產。三星電子（samsung electronics co.）是大的智能手機制造商。一位三星供應商人士說，高通公司的芯片供應問題正在影響三星中低端機型的生產。另一位透露，高通產品驍龍（snapdragon） 888 芯片出現短缺，但尚不清楚是否會影響到三星智能手機的制造。 AD8565AKSZ AD8226ARMZ ADA4891-2ARMZ AD8221ARMZ OP1177ARMZ OP282ARMZ OP2177ARMZ MAX176AMJA/883B AS0BC21-S40BM-7H SII9244BOTR K4P2E304EQ-PGC2 K3QF2F200E-XGCB MSM8230-3AB K3PE7E700B-XXC1 K3PE7E700M-BGC2 MPU-6051M SRV25-4-T7 MT53E256M32D2DS-053AIT:B AD8052ARMZ SCV7538B1 P2S56D40BTP KLMBG4GE2A-A001 TWL6032A1BBYFFR SKY77704-4 AD7477ARTZ AD7999YRJZ-1 ADG419BRMZ ADG736LBRMZ MAX1745AUB