25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電蘋果尚未公布的 m1x 芯片性能可能 其，多核性能預(yù)估十核酷睿 i9-10900k 和八核銳龍 r7-5800x 。
，蘋果的 macbook pro 機(jī)型有望在 2021 年下半年批量生產(chǎn)，預(yù)計(jì)這是早一批搭載 m1x 芯片的設(shè)備。這款即將發(fā)布的芯片據(jù)說比 5nm 架構(gòu)的 m1 還要。博主盧克 · 米亞尼(luke·miani)根據(jù)蘋果現(xiàn)有芯片組的性能數(shù)據(jù)提供了一些性能估計(jì)，如果這些數(shù)字是準(zhǔn)確的，新的 macbook pro 機(jī)型可能是上性能強(qiáng)的便攜式筆記本電腦。
米亞尼提供了一個(gè)圖表，顯示了 m1x 的預(yù)估性能。暫時(shí)不知道新的 apple sil n 芯片組是否會(huì)叫做 m1x ，不過更重要的是它的運(yùn)行性能如何。
根據(jù)之前蘋果芯片的測(cè)試結(jié)果來推算，m1x 的 geekbench 的多核得分幾乎達(dá)到了 14000 分，明顯快于 8 核的 amd ryzen 7 5800x 和 10 核的英特爾 core i9-10900k。值得一提的是，在 m1 正式發(fā)布之前，米亞尼提供了 a14x bionic 的一些估計(jì)性能數(shù)據(jù)，顯示結(jié)果與 core i9-9880h 。m1 僅僅是 a14x bionic 的一個(gè)名字不同的變體，之前的基準(zhǔn)測(cè)試顯示米亞尼的計(jì)算是準(zhǔn)確的。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6