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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？?。
intel是上個生產閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結合eprom和eeprom兩項技術，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現，它常常被應用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結構大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
ddr4以前瞻性的高傳輸速率、v- 低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導入英特爾工作站／伺服器以及桌上型電腦平臺，并與lp-ddr3存儲器將同時存在一段時間；至于nand flash快閃存儲器也跨入1x 制程，mlc將以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹寫次數（program erase；p/e）來搶占要求耐受度的軍方與工控市場，而c/p值高的tlc從隨碟、記憶卡的應用導向低端ssd… ddr4伺服器先行 2016ddr3成為主流回收beiling車充降壓IC 回收ONMOS管回收飛思卡爾傳感器芯片回收鑫華微創(chuàng)觸摸傳感器芯片回收凌特全新整盤芯片回收TOSHIBA邏輯IC 回收賽靈思封裝TO-220三極管回收ST意法電源監(jiān)控IC 回收TOSHIBA封裝TO-220三極管回收INFINEON封裝QFP144芯片回收MarvellMOS管場效應管回收艾瓦特發(fā)動機管理芯片回收INTERSIL觸摸傳感器芯片回收SGMICRO圣邦微SOP封裝IC 回收RENESAS電源監(jiān)控IC 回收VincotechDOP封裝芯片回收中芯收音IC 回收IRMOS管場效應管回收矽力杰網口IC芯片回收瑞薩封裝SOP20芯片回收kerost網卡芯片回收賽靈思封裝QFN進口芯片回收fsc仙童聲卡芯片回收ti德州儀器微控制器芯片回收Vincotech封裝QFP144芯片回收WINBOND華邦aurix芯片回收CJ長電DOP封裝芯片回收賽靈思藍牙芯片回收亞德諾計算機芯片回收IR封裝QFP144芯片回收WINBOND華邦封裝sot23-5封裝芯片回收中芯進口IC 回收kingbri原裝整盤IC 回收飛利浦手機存儲芯片回收toshiba車充降壓IC 回收XilinxDOP封裝芯片回收silergySOP封裝IC 回收infineonMCU電源IC 回收PARADE譜瑞封裝SOP20芯片回收idesynMOS管回收kingbriADAS處理器芯片回收Vincotech收音IC