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青島收購(gòu)Winbond華邦WIFI芯片

作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時(shí)間:2022-11-12 瀏覽:17

25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 ATMEGA32A-AU
W25Q64JVSIQ
NUC029LAN
STM32F401RCT6
TPS54202DDCR
STM32F030RCT6
ATMEGA16A-AU
ATMEGA128A-AU
TPS3116D2DADR
另一種稱為動(dòng)態(tài)ram(dynamic ram/dram),dram保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短,速度也比sram慢,不過它還是比的rom都要快,但從價(jià)格上來說dram相比sram要便宜很多,計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是dram的。
dram
dram分為很多種,常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等,這里介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram(date-rate ram)也稱作ddr sdram,這種改進(jìn)型的ram和sdram是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存,而且它有著成本勢(shì),事實(shí)上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)-rambus dram。在很多的顯卡上,也配備了高速ddr ram來提高帶寬,這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。nand flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù),它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的,通常是一次讀取512個(gè)字節(jié),采用這種技術(shù)的flash比較廉價(jià)。用戶不能直接運(yùn)行nand flash上的代碼,因此好多使用nand flash的開發(fā)板除了使用nand flah以外,還作上了一塊小的nor flash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。  nand結(jié)構(gòu)能提供 高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用nand的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。一般小容量的用nor flash,因?yàn)槠渥x取速度快,多用來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要,而大容量的用nand flash。 TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G38DCKR TPS3831G18DQNR TPS70930DBVR TPS65145PWPR TPS630702RNMR TPS62822DLCT TPS54428DDAR TPS259573DSGT TLV76733DRVR TLV75733PDBVR TLV431BQDBVT TL431IPK LMR14030SQDPRTQ1 TPS62136RGXT TPS2051BDR TL431ACDBVR LMR14030SQDPRRQ1 BQ25100YFPR TPS2069CDBVR TLV62084DSGR TL432BQDBZR LMV431AIM5X/NOPB SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G07DCKR SN74LVC1G08DBVR SN74LVC2G14DCKR SN74LVC2G04DCKR SN74AVC4T245RSVR SN74AUP2G07DCKR SN74AHC1G09DCKR SN74LVC1G125DCKR SN74AXC2T245RSWR SN74AUP2G08DCUR SN74AHC1G32DCKR SN74AHC1G08QDBVRQ1 SN74AHC1G00DCKR TXB0102DCUT SN74LVC1G08DBVR SN74LVC1G06DRYR SN74AXC8T245QPWRQ1 TXS0102DQMR SN74LVC2G34DCKR LM2904QDRQ1 LMV358IDGKR TL082CD TLV2372IDGKR LMP8645HVMK/NOPB TS3A226AEYFFR TLV6002IDR TLV6001QDCKRQ1 TLV342SIRUGR LM321LVIDBVR OPA2376QDGKRQ1

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