25小時在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團與意法半導(dǎo)體就碳化硅(sic)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議
半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡稱“st”），雙方就碳化硅（以下簡稱“sic”）晶圓由羅姆集團旗下的sicrystal gmbh （以下簡稱“sicrystal”）供應(yīng)事宜達成長期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由sicrystal（sic晶圓生產(chǎn)量歐洲）向st（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實現(xiàn)50w快充，體積小巧便攜。
臺積電將與意法半導(dǎo)體合作，加速gan制程技術(shù)開發(fā)
臺積電與意法半導(dǎo)體合作加速市場采用氮化產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計今年晚些時候?qū)⒔唤o客戶。臺積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導(dǎo)入市場。透過此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺積公司的氮化制程技術(shù)來生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術(shù)
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴展其方位的碳化硅（sic）產(chǎn)品組合，新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應(yīng)用對于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務(wù)器、電信和工業(yè)smps、太陽能系統(tǒng)、能源儲存和化成電池、ups、馬達驅(qū)動以及電動車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門協(xié)理steffen metzger說，推出這項產(chǎn)品后，英飛凌在600v/650v電源領(lǐng)域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計，v- 目前計劃中的傳輸速率進展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設(shè)計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達到16gb容量。  而ddr4運作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機功耗。  RN5RL30AA-TR SI9183DT-AD-T1 TC2185-2.8VCTTR TCM810LENB713 TCM811SERC TPS79333DBVRG4 ADP3300ART-3 SC8800S4-349G SC8825A SC8825C SIL9011CLU TA31139BFL TLV5590EDR U87C196MC R2A15905FP RTL8306SD-GR SCH5627-NS SN65HVD3080EDGS INA203AIDGSR INA168QDBVRQ1 INA240A1PW USB1T1103MPX OPA2209AIDGKR