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東芝(toshiba)以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù),從2014年季起開始小量試產(chǎn),目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路,東芝與新帝(sandisk)合資的日本三重縣四日市晶圓廠,期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工,q3順利進(jìn)入規(guī)?;a(chǎn)。而sk海力士與美光(micron)、英特爾(intel)陣營(yíng),也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ,計(jì)劃于2014年q2送樣測(cè)試,快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間,且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí),故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主,對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng),在明年底以前應(yīng)該還看不到。 回收beiling車充降壓IC 回收ONMOS管回收飛思卡爾傳感器芯片回收鑫華微創(chuàng)觸摸傳感器芯片回收凌特全新整盤芯片回收TOSHIBA邏輯IC 回收賽靈思封裝TO-220三極管回收ST意法電源監(jiān)控IC 回收TOSHIBA封裝TO-220三極管回收INFINEON封裝QFP144芯片回收MarvellMOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收艾瓦特發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收INTERSIL觸摸傳感器芯片回收SGMICRO圣邦微SOP封裝IC 回收RENESAS電源監(jiān)控IC 回收VincotechDOP封裝芯片回收中芯收音IC 回收IRMOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收矽力杰網(wǎng)口IC芯片回收瑞薩封裝SOP20芯片回收kerost網(wǎng)卡芯片回收賽靈思封裝QFN進(jìn)口芯片回收f(shuō)sc仙童聲卡芯片回收ti德州儀器微控制器芯片回收Vincotech封裝QFP144芯片回收WINBOND華邦aurix芯片回收CJ長(zhǎng)電DOP封裝芯片回收賽靈思藍(lán)牙芯片回收亞德諾計(jì)算機(jī)芯片回收IR封裝QFP144芯片回收WINBOND華邦封裝sot23-5封裝芯片回收中芯進(jìn)口IC 回收kingbri原裝整盤IC 回收飛利浦手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收toshiba車充降壓IC 回收XilinxDOP封裝芯片回收silergySOP封裝IC 回收infineonMCU電源IC 回收PARADE譜瑞封裝SOP20芯片回收idesynMOS管回收kingbriADAS處理器芯片回收Vincotech收音IC