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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是nvm，其記錄速度也非?？?。
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。nand的存儲(chǔ)單元只有nor的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲(chǔ)卡上。
nand 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲(chǔ)存塊， nand 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個(gè)，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
micron自家市場統(tǒng)計(jì)預(yù)測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長率可達(dá)51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲(chǔ)器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。 nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預(yù)估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。 STM32F103VET6 TEF6686AHN/V205 MCIMX6Y2CVM08AB LPC822M101JHI33E 74AVC8T245BQ KSZ8863RLLI KSZ8081MNXIA-TR MCP9700AT-E/LT PIC16F1508-I/SS ATMEGA1284P-AU ICE3PCS01G IRFP4668PBF IR21844STRPBF RT9701PB UT4407G-S08-R UT4411G-S08-R NTR4502PT3G AD8617ARMZ-REEL AD8604ARZ-REEL7 AD8554ARZ-REEL7 AON6370 MCP6292T-E/SN MCP6282T-E/SN MCP6242T-E/SN MCP6232T-E/SN MCP617T-I/SN MCP607T-I/SN MCP6072T-E/SN MCP606T-I/OT RT9193-33GB RT9179PB RT9179GB RT9166-33GVL RT9161A-33GV RT9161-50GV RT9013-33GB RT9013-18GB AO4440 AOD200
