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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電電感在電路中常用“L”加數(shù)字說(shuō)，如：L3說(shuō)編號(hào)為3的電感。電路板上的電感器
電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。
直流可通過(guò)線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很??；當(dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過(guò)，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。
電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類似。如：棕、黑、金、金說(shuō)1uH（誤差5 ）的電感。
電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計(jì)，v- 目前計(jì)劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來(lái)不排除直達(dá)4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個(gè)（x4/x8）或8個(gè)（x16/32），這使得采x8設(shè)計(jì)的單一ddr4存儲(chǔ)器模組，容量就可達(dá)到16gb容量。 而ddr4運(yùn)作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進(jìn)入休眠模式時(shí)無(wú)須更新存儲(chǔ)器，或僅直接更新dimm上的單一存儲(chǔ)器顆粒，減少35 ~50 的待機(jī)功耗。 NT5TU32M16CG-3C MP2360DG-LF-Z MT48LC16M16A2BG-75IT:D 24LC512T-I/SN XTR115U/2K5 AD8647ARMZ-REEL AD8422ARZ-R7 RT8289GSP TPS23751PWPR ISO1H801G PI5PD2069WEX MAX708TCSA LT1959CR DS1818R-10 RT9108NB ALC888S AOZ8902CIL TL431ACLPR RT9266GE SGM2019-3.3YN5G/T SGM2019-1.8YN5G MC34063A SY8088AA AMS1085CM-3.3
