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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電
it之家獲悉，小米盧偉冰此前也說(shuō)，目前智能手機(jī)的芯片是 度短缺的。高通即將上任的 ceo cristiano amon 說(shuō)，目前芯片供大于求的狀況原因之一的美國(guó)對(duì)華為的，導(dǎo)致手機(jī)廠商不得不選擇高通等公司的芯片。
除了手機(jī) soc 這種高附加值芯片，目前電阻、電容、二 管等基礎(chǔ)元器件也面臨著不同程度的漲價(jià)，進(jìn)一步提高了廠商的壓力。
隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫(xiě)次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時(shí)已降為3，000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫(xiě)技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫(xiě)度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。 L5970D RT9385BGQW MT6161AN/C WM8728EDS BC57E687BU KLM4G1FE3B-B001 TDA18252HN CY7C66113C-PVXC UBA2014P LF353DR SGM8545XN5/TR OPA445AU PTMA210152MV1 LT1013DDR LF353P TLV2711IDBVR LF347DR S25FL512SAGMFVG13 PCF8563T/5 NJM2740V-TE1 TLC277CP DA9053-3FHA LT6654AIS6-2.5#TRMPBFTR-ND DRV8833RTY
