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中芯發(fā)布公告稱，公司就購(gòu)買(mǎi)用于生產(chǎn)晶圓的阿斯麥產(chǎn)品與阿斯麥集團(tuán)簽訂購(gòu)買(mǎi)單，根據(jù)阿斯麥購(gòu)買(mǎi)單購(gòu)買(mǎi)的阿斯麥產(chǎn)品定價(jià)，阿斯麥購(gòu)買(mǎi)單的總代價(jià)為 1201590 美元。這部分主要為 duv 光刻機(jī)。
今日，據(jù)財(cái)聯(lián)社，透露，中芯正在努力重新獲得訂單，是其 14nm finfet 工藝訂單。(it之家注：finfet 工藝是指鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝，該工藝可大幅電路控制并減少漏電流，還可以大幅晶體管的柵長(zhǎng)。)it之家了解到，3 月 10 日，據(jù)選股寶，從供應(yīng)鏈獲悉，中芯 14nm 制程工藝產(chǎn)品良率已追平臺(tái)積電同等工藝，水準(zhǔn)達(dá)約 90 -95 。目前，中芯各制程產(chǎn)能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。
據(jù)中芯介紹，中芯是的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是內(nèi)地技術(shù)，配套完善，規(guī)模大，跨國(guó)經(jīng)營(yíng)的集成電路制造企業(yè)。
中芯在上海建有一座 300mm 晶圓廠，一座 200mm 晶圓廠和一座實(shí)際控股的 300mm 設(shè)備制程晶圓合資廠;在北京建有一座 300mm 晶圓廠和一座控股的 300mm 晶圓廠;在天津和深圳各建有一座 200mm 晶圓廠;在江陰有一座控股的 300mm 合資廠。
隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫(xiě)次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時(shí)已降為3，000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫(xiě)技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫(xiě)度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。 C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6
