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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器（此處簡(jiǎn)稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是nvm，其記錄速度也非常快。
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。nand的存儲(chǔ)單元只有nor的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲(chǔ)卡上。
nand 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲(chǔ)存塊， nand 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個(gè)，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲(chǔ)器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲(chǔ)器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢(shì)待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲(chǔ)器，屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn) 為劇烈的變動(dòng)。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的nand flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，隨著flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。 回收Vincotech進(jìn)口IC 回收GENESIS起源微DOP封裝芯片回收威世集成電路芯片回收億盟微MOS管回收beiling全新整盤芯片回收silergyWIFI芯片回收PANASONIC封裝QFP芯片回收semtech藍(lán)牙芯片回收ti德州儀器網(wǎng)口IC芯片回收LINEAR進(jìn)口IC 回收麗晶微電源管理IC 回收INTERSILMOS管回收kerost音頻IC 回收INTERSIL穩(wěn)壓管理IC 回收Xilinx聲卡芯片回收IRMCU電源IC 回收尚途sunto微控制器芯片回收ncs封裝sot23-5封裝芯片回收kerost降壓恒溫芯片回收ti德州儀器封裝SOP20芯片回收VISHAY原裝整盤IC 回收IR網(wǎng)口IC芯片回收ST意法藍(lán)牙芯片回收kingbri手機(jī)存儲(chǔ)芯片
