25小時在線 15889737035 可微可電 TPS51200DRCR
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ATMEGA328P-AU
LIS2DH12TR
GD32F103RBT6
GD32F103RET6回購工廠庫存電子料,3gs模塊,蘋果手機各種大小原廠配件,數(shù)碼芯片,東芝flash芯片,群創(chuàng)液晶屏,現(xiàn)代emmc,電子ic芯片,現(xiàn)代字庫h9da4gh4jjam,tkd鉭電容,各種tf卡,華邦系列flash等等。
回購k9k場效應(yīng)管,海力士內(nèi)存,廠家?guī)齑娲袅?霍爾元件,各種電子元器件,電感系列,通信ic產(chǎn)品類ic,工廠庫存電子元件,現(xiàn)代4g內(nèi)存芯片,海力士flash芯片,電源ic,音效ic等等。隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測試。  回收ti德州儀器封裝QFP芯片回收kingbri封裝SOP20芯片回收MICRON/美光封裝QFP144芯片回收WINBOND華邦發(fā)動機管理芯片回收atheros藍(lán)牙芯片回收ROHM升壓IC 回收INFINEON進(jìn)口新年份芯片回收idesyn聲卡芯片回收Vincotech手機存儲芯片回收ST意法車充降壓IC 回收semtech汽車主控芯片回收maxim網(wǎng)卡芯片回收麗晶微降壓恒溫芯片回收艾瓦特網(wǎng)卡芯片回收toshiba網(wǎng)卡芯片回收海旭芯片回收賽靈思進(jìn)口芯片回收VISHAY手機存儲芯片回收矽力杰進(jìn)口新年份芯片回收WINBOND華邦MOS管場效應(yīng)管回收Marvell原裝整盤IC 回收INFINEON汽車主控芯片回收silergy計算機芯片回收NS隔離恒溫電源IC 回收ELITECHIP封裝QFP芯片回收maxim路由器交換器芯片回收PARADE譜瑞觸摸傳感器芯片回收MICRON/美光MOS管場效應(yīng)管回收ST意法封裝QFP144芯片回收飛思卡爾進(jìn)口芯片回收atheros傳感器芯片回收東芝原裝整盤IC 回收瑞薩DOP封裝芯片回收idesyn穩(wěn)壓器IC 回收ELITECHIP穩(wěn)壓管理IC 回收HOLTEK合泰ADAS處理器芯片回收CJ長電汽車主控芯片回收idesyn封裝sot23-5封裝芯片回收silergy降壓恒溫芯片回收韋克威穩(wěn)壓管理IC 回收TAIYO/太誘芯片回收芯成原裝整盤IC 回收尚途sunto隔離恒溫電源IC 回收idt傳感器芯片回收韋克威進(jìn)口IC 回收東芝電池充電管理芯片回收TAIYO/太誘ADAS處理器芯片回收GENESIS起源微進(jìn)口芯片回收TAIYO/太誘進(jìn)口IC