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flash閃存芯片

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Renasas存儲器  flash閃存芯片  R1Q4A3636CBB
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半導(dǎo)體存儲器(semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲媒體的存儲器,內(nèi)存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。

存儲器(Memory)是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機(jī)程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進(jìn)制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。 一個存儲器包含許多存儲單元,每個存儲單元可存放一個字節(jié)。每個存儲單元的位置都有一個編號,即地址,一般用十六進(jìn)制表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲容量。假設(shè)一個存儲器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)(即5位十六進(jìn)制數(shù))組成,則可表示220,即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個字節(jié),則該存儲器的存儲容量為1KB。


深圳英尚微電子有限公司

英尚國際有限公司

Ramsun International Limited

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M/P:+86-13751192923 

Q Q: 3161422826            

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主營產(chǎn)品:

著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI

企業(yè)地址:深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)匯潮大廈2802室
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CYPRESS存儲器   flash閃存芯片  CY7C1020CV33
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記憶存儲器有兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非???,是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了,但是它也非常昂貴,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一級緩沖,二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短,速度也比SRAM慢,不過它還是比任何的ROM都要快,但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多,計算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。     

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銷售原裝進(jìn)口 K9F1208UOC-PCBO FLASH閃存芯片 原裝正品
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類型 存儲器 品牌 Samsung/三星 型號 K9F1208UOC-PCBO 功率 W 封裝 TSOP48 批號 以實物為準(zhǔn)
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IC產(chǎn)品;電子元器件;單片機(jī);電源IC;驅(qū)動IC

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類型 其他IC 品牌 WINBOND 型號 W25Q128BVFG 功率 原裝優(yōu)勢 封裝 DIP-8 批號 12+
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EPROM;FLSH-EPROM;PAL/GAL;PEEL;PIC;MOS管;二三極管;集成IC;電阻;電容;二三極管;場效應(yīng)管;晶振;連接器;BOM表格配套

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