作為利潤(rùn){zg}的led上游產(chǎn)業(yè)—芯片，相信無(wú)論是業(yè)內(nèi)人士還是消費(fèi)者都是很感興趣的，今天，我們就帶您了解下LED芯片產(chǎn)業(yè)。

1、LED芯片的制作流程是怎樣的?

  LED芯片制作首要是為了制作有效可靠的低歐姆觸摸電極，并能滿足可觸摸資料之間最小的壓降及提供焊線的壓墊，同時(shí)盡可能多地出光。渡膜技術(shù)通常用真空蒸鍍辦法，其首要在1.33×10?4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱辦法使資料熔化，并在低氣壓下變成金屬蒸氣沉積在半導(dǎo)體資料表面。通常所用的P型觸摸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的觸摸金屬常選用AuGeNi合金。鍍膜后構(gòu)成的合金層還需要經(jīng)過(guò)光刻技術(shù)將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來(lái)，使留下來(lái)的合金層能滿足有效可靠的低歐姆觸摸電極及焊線壓墊的需求。光刻工序結(jié)束后還要經(jīng)過(guò)合金化進(jìn)程，合金化通常是在H2或N2的維護(hù)下進(jìn)行。合金化的時(shí)間和溫度通常是依據(jù)半導(dǎo)體資料特性與合金爐形式等因素決定。當(dāng)然若是藍(lán)綠等芯片電極技術(shù)還要復(fù)雜，需增加鈍化膜生長(zhǎng)、等離子刻蝕技術(shù)等。

  2、LED芯片制作工序中，哪些工序?qū)ζ涔怆姽δ苡休^重要的影響?

  通常來(lái)說(shuō)，LED外延出產(chǎn)完成之后她的首要電功能已定型，芯片制作不對(duì)其產(chǎn)甞核本性改變，但在鍍膜、合金化進(jìn)程中不恰當(dāng)?shù)臈l件會(huì)造成一些電參數(shù)的不良。比如說(shuō)合金化溫度偏低或偏高都會(huì)造成歐姆觸摸不良，歐姆觸摸不良是芯片制作中造成正向壓降VF偏高的首要原因。在切開(kāi)后，假如對(duì)芯片邊緣進(jìn)行一些腐蝕技術(shù)，對(duì)改善芯片的反向漏電會(huì)有較好的幫助。這是因?yàn)橛媒饎偸拜喌镀虚_(kāi)后，芯片邊緣會(huì)殘留較多的碎屑粉末，這些假如粘在LED芯片的PN結(jié)處就會(huì)造成漏電，甚至?xí)袚舸┈F(xiàn)象。另外，假如芯片表面光刻膠剝離不干凈，將會(huì)造成正面焊線難與虛焊等情況。假如是背面也會(huì)造成壓降偏高。在芯片出產(chǎn)進(jìn)程中經(jīng)過(guò)表面粗化、劃成倒梯形結(jié)構(gòu)等辦法可以提高光強(qiáng)。

  3、LED芯片為何要分成諸如8mil、9mil、…，13∽22mil，40mil等不同尺度?尺度大小對(duì)LED光電功能有哪些影響?

  LED芯片大小依據(jù)功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。依據(jù)客戶需求可分為單管級(jí)、數(shù)碼級(jí)、點(diǎn)陣級(jí)以及裝飾照明等類別。至于芯片的具體尺度大小是依據(jù)不同芯片出產(chǎn)廠家的實(shí)際出產(chǎn)水平而定，沒(méi)有具體的需求。只要技術(shù)過(guò)關(guān)，芯片小可提高單位產(chǎn)出并降低成本，光電功能并不會(huì)發(fā)生根本變化。芯片的運(yùn)用電流實(shí)際上與流過(guò)芯片的電流密度有關(guān)，芯片小運(yùn)用電流小，芯片大運(yùn)用電流大，它們的單位電流密度根本差不多。假如10mil芯片的運(yùn)用電流是20mA的話，那么40mil芯片理論上運(yùn)用電流可提高16倍，即320mA。但考慮到散熱是大電流下的首要疑問(wèn)，所以它的發(fā)光效率比小電流低。另一方面，因?yàn)槊娣e增大，芯片的體電阻會(huì)降低，所以正向?qū)妷簳?huì)有所下降。

  4、LED大功率芯片通常指多大面積的芯片?為何?

  用于白光的LED大功率芯片通常在市場(chǎng)上可以看到的都在40mil左右，所謂的大功率芯片的運(yùn)用功率通常是指電功率在1W以上。因?yàn)榱孔有释ǔＰ∮?0?大部分電能會(huì)轉(zhuǎn)換成熱能，所以大功率芯片的散熱很重要，需求芯片有較大的面積。

  5、制作GaN外延資料的芯片技術(shù)和加工設(shè)備與GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的需求?為何?

  通常的LED紅黃芯片和高亮四元紅黃芯片的基板都選用GaP、GaAs等化合物半導(dǎo)體資料，通常都可以做成N型襯底。選用濕法技術(shù)進(jìn)行光刻，{zh1}用金剛砂輪刀片切開(kāi)成芯片。GaN資料的藍(lán)綠芯片是用的藍(lán)寶石襯底，因?yàn)樗{(lán)寶石襯底是絕緣的，所以不能作為L(zhǎng)ED的一個(gè)極，必須經(jīng)過(guò)干法刻蝕的技術(shù)在外延面上同時(shí)制作P/N兩個(gè)電極并且還要經(jīng)過(guò)一些鈍化技術(shù)。因?yàn)樗{(lán)寶石很硬，用金剛砂輪刀片很難劃成芯片。它的技術(shù)進(jìn)程通常要比GaP、GaAs資料的LED多而復(fù)雜。

  6、“透明電極”芯片的結(jié)構(gòu)與它的特色是什么?

  所謂透明電極一是要能夠?qū)щ姡且軌蛲腹?。這種資料現(xiàn)在最廣泛應(yīng)用在液晶出產(chǎn)技術(shù)中，其名稱叫氧化銦錫，英文縮寫ITO，但它不能作為焊墊運(yùn)用。制作時(shí)先要在芯片表面做好歐姆電極，然后在表面掩蓋一層ITO再在ITO表面鍍一層焊墊。這樣從引線上下來(lái)的電流經(jīng)過(guò)ITO層均勻分布到各個(gè)歐姆觸摸電極上，同時(shí)ITO因?yàn)檎凵渎侍幱诳諝馀c外延資料折射率之間，可提高出光角度，光通量也可增加。

  7、用于半導(dǎo)體照明的芯片技術(shù)的發(fā)展主流是什么?

  隨著半導(dǎo)體LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用也不斷增加，特別是白光LED的呈現(xiàn)，更是成為半導(dǎo)體照明的熱點(diǎn)。但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。提高功率意味著芯片的運(yùn)用電流加大，最直接的辦法是加大芯片尺度，現(xiàn)在普遍呈現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右，運(yùn)用電流在350mA。因?yàn)檫\(yùn)用電流的加大，散熱疑問(wèn)成為突出疑問(wèn)，現(xiàn)在經(jīng)過(guò)芯片倒裝的辦法根本解決了這一文題。隨著LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用會(huì)面臨一個(gè)前所未有的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

  8、什么是“倒裝芯片(Flip?Chip)”?它的結(jié)構(gòu)怎么?有哪些優(yōu)點(diǎn)?

  藍(lán)光LED通常選用Al2O3襯底，Al2O3襯底硬度很高、熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率低，假如選用正裝結(jié)構(gòu)，一方面會(huì)帶來(lái)防靜電疑問(wèn)，另一方面，在大電流情況下散熱也會(huì)成為最首要的疑問(wèn)。同時(shí)因?yàn)檎骐姌O朝上，會(huì)遮掉一部分光，發(fā)光效率會(huì)降低。大功率藍(lán)光LED經(jīng)過(guò)芯片倒裝技術(shù)可以比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)得到更多的有效出光。

  現(xiàn)在主流的倒裝結(jié)構(gòu)做法是：首要制備出具有適合共晶焊接電極的大尺度藍(lán)光LED芯片，同時(shí)制備出比藍(lán)光LED芯片略大的硅襯底，并在上面制作出供共晶焊接的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)線層(超聲金絲球焊點(diǎn))。然后，利用共晶焊接設(shè)備將大功率藍(lán)光LED芯片與硅襯底焊接在一起。這種結(jié)構(gòu)的特色是外延層直接與硅襯底觸摸，硅襯底的熱阻又遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于藍(lán)寶石襯底，所以散熱的疑問(wèn)極好地解決了。因?yàn)榈寡b后藍(lán)寶石襯底朝上，成為出光面，藍(lán)寶石是透明的，因而出光疑問(wèn)也得到解決。

      勤士照明整理，希望讓大家對(duì)led行業(yè)有所幫助