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KRi 大尺寸樹脂鏡片高性能 AR 工藝
樹脂為手機(jī)行業(yè)目前最常用的鏡片基材, 為了減少鏡片反射, 提升透過率, 會(huì)在鏡片表面鍍 AR 增透膜 (減反膜), 它是一種硬質(zhì)耐熱氧化膜, 可在特定波長范圍內(nèi)將元器件表面的反射率最小化. AR coating 可以顯著提高樹脂基材的透過率. 光線在透過不同介質(zhì)時(shí)會(huì)產(chǎn)生折射和反射, 當(dāng)加上單面 AR coating 后, 濾光片會(huì)提升 3～5%的透光率, 讓圖像更清晰且讓鏡片不容易起霧.
手機(jī)鏡頭等上游供應(yīng)商在生產(chǎn)工藝中通常使用進(jìn)行輔助沉積, 由此改善由手機(jī)攝像頭內(nèi)樹脂鏡片非有效徑區(qū)域透光跟反射光線形成的 flare 現(xiàn)象, 提高手機(jī)攝像頭的成像質(zhì)量, 提升鏡頭競(jìng)爭(zhēng)力. 在鍍膜過程中, 同時(shí)需要解決諸如脫膜, 光譜的不穩(wěn)定, 均勻性不佳及無法在大型蒸鍍機(jī)穩(wěn)定的大量生產(chǎn)等問題.
上海伯東美國 KRi RFICP 380, 利用高均勻性的離子分布及高穩(wěn)定的離子能量成功搭配于 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 解決了在樹脂基材鏡頭上無法達(dá)到高質(zhì)量鍍膜要求的問題, 同時(shí)也提升了企業(yè)生產(chǎn)效能.
客戶原使用國產(chǎn)傳統(tǒng)燈絲型離子源 (霍爾離子源), 因離子源高溫, 發(fā)熱, 易造成樹脂融化, 產(chǎn)生磨砂物質(zhì),導(dǎo)致表面污染, 對(duì)材料本身造成結(jié)構(gòu)性破壞; 傳統(tǒng)燈絲型霍爾離子源每天需要更換燈絲, 保養(yǎng)時(shí)間長, 對(duì)生產(chǎn)效率有一定的影響. 經(jīng)過推薦客戶改裝美國原裝進(jìn)口 KRi 大尺寸, 提高折射率, 增加樹脂鏡片表面的膜層致密度, 增加膜強(qiáng)度, 整體上提升了鍍膜效果！
鍍膜材料: 高折射率材料 Ti2O5 (氧化鈦), 低折射率材料 SiO2 (氧化硅）
應(yīng)用: 樹脂鏡片鍍 AR 增透膜（減反膜）
鍍膜設(shè)備: 1米7 的大型蒸鍍?cè)O(shè)備, 配置美國 KRi RFICP 380
測(cè)試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時(shí)高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測(cè)試
上海伯東美國 KRi RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長! 適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 中國總代理.
美國 KRi RFICP 技術(shù)參數(shù)：
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型號(hào) |
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Discharge 陽極 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
RF 射頻 |
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離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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長度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的, , 等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn), 和. 美國歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專 利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.
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