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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電電子元器件ti、at、長電芯片識別真假的方法后，本期再迎來美信芯片的識別方法，以max485esa+t為例，可以從以下幾點辨別真假：
原裝盒子字體打印清晰，中間手指的指甲線條較細(xì)，非原裝手指圖案中間的線條稍粗；
標(biāo)簽上美信的logo，“m”字下方三角形較立體，并且字母后面小字母標(biāo)注類似tta，非原裝logo “m”字下方類似三角形，字母后面的小字母類似tm；
原裝膠盤上每個小孔內(nèi)字體較暗，效果不會明顯，非原裝較強；
原裝帶子保護膜呈乳白色，保護膜與芯片不會壓的緊，非原裝完呈透明狀態(tài)；
芯片上絲印字體大小均勻清晰，定位孔大小 一致，管腳無打磨，非原裝打磨可能會較明顯。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計，v- 目前計劃中的傳輸速率進(jìn)展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達(dá)4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設(shè)計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達(dá)到16gb容量。 而ddr4運作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進(jìn)入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機功耗。 CY7C1650KV18-450BZC CY7C1415KV18-300BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1520V18-200BZC TLC6C598QPWRQ1 VND7140AJTR AUIRS2191STR L9347LF-TR VNH7013XPTR-E TLE9180D-31QK TLD2331-3EP A4916KJPTR-T S9KEAZN16AMLC MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AEP MC13892DJVL SPC560P44L3CEFAR SPC5743PK1AMLQ5R SPC560P50L3CEFAR IS45S32200L-7BLA2 VNN7NV04PTR-E VN5E025AJTR-E NCV2902DTBR2G