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光學(xué)鍍膜是光學(xué)工業(yè)中最為重要的工藝之一, 其中離子源輔助鍍膜技術(shù)是一種目前技術(shù)先進(jìn)的光學(xué)鍍膜技術(shù). 離子源輔助鍍膜IAD的作用有：
1. 填充密度提高：折射率提高
2. 波長(zhǎng)漂移減少
3. 紅外波段的水氣吸收減少
4. 增強(qiáng)了膜層的結(jié)合力、耐摩擦能力, 機(jī)械強(qiáng)度, 提高表面光潔度
5. 控制膜層的應(yīng)力
6. 減少膜層的吸收和散射
7. 提高生產(chǎn)效率
在真空環(huán)境下, 利用發(fā)射的電子在電場(chǎng)合磁場(chǎng)的相互作用下, 使充入真空室的氣體產(chǎn)生離化, 在電場(chǎng)合磁場(chǎng)的作用下發(fā)射離子.
上海伯東代理美國(guó)考夫曼公司霍爾離子源、考夫曼離子源和射頻離子源, 選擇哪類型離子源, 用于輔助鍍膜 IAD呢？今天就跟大家簡(jiǎn)單介紹這三種離子源.
霍爾離子源屬于高濃度低動(dòng)能型, 其主要構(gòu)成結(jié)構(gòu)有：
1. 燈絲
2. 陽(yáng)極模組
3. 主要模組
4. 底座(可調(diào)整角度, 高度)
實(shí)圖如下:
KRI Gridless eH 系列在售型號(hào)及技術(shù)參數(shù):
|
離子源型號(hào) |
(停產(chǎn)) |
|
|
|
|
|
|
Cathode/Neutralizer |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
HC |
|
電壓 |
30-300V |
50-300V |
50-300V |
100-300V |
50-300V |
50-250V |
|
電流 |
2A |
5A |
10A |
10A |
10A |
20A |
|
散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
|
可充其他 |
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
|||||
|
氣體流量 |
1-15sccm |
2-25sccm |
2-50sccm |
2-50sccm |
2-75sccm |
5-100sccm |
|
高度 |
2.0“ |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
|
直徑 |
2.5“ |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
|
水冷 |
無(wú) |
可選 |
可選 |
可選 |
是 |
可選 |
考夫曼離子源 KDC屬于高濃度低動(dòng)能型, 其主要構(gòu)成結(jié)構(gòu)有：
1. Grid (柵極) 模組
2. Out shell (外殼) 模組
3. CathodeCathode moudlemoudle (陰極模組)
4. Anode with Magnet assembly (陽(yáng)極與磁力模組)
伯東美國(guó) KRI KDC 技術(shù)參數(shù)：
|
離子源型號(hào) |
|
|
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|
|
|
Discharge |
DC 熱離子 |
DC 熱離子 |
DC 熱離子 |
DC 熱離子 |
DC 熱離子 |
|
離子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
||||
|
流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長(zhǎng)度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
|
直徑 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
|
中和器 |
燈絲 |
||||
射頻離子源RFICP屬于高濃度低動(dòng)能型, 其主要構(gòu)成結(jié)構(gòu)有：
1. 底座風(fēng)冷風(fēng)扇
2. Grid (柵極) 模組
3. RF Coil (射頻銅管)
4. 石英杯
5. LFN 2000 (燈絲) 中和器
RFICP 系列技術(shù)參數(shù):
|
型號(hào) |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
RFICP 射頻 |
RFICP 射頻 |
RFICP 射頻 |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
||||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
長(zhǎng)度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直徑 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
||||
以上是 KRI 霍爾離子源 / 考夫曼離子源 / 射頻離子源簡(jiǎn)單介紹.
KRI 離子源輔助鍍膜 IAD 時(shí), 霍爾離子源和考夫曼離子源, 哪個(gè)好？ 其實(shí)從上面的介紹可以看出, 霍爾離子源和考夫曼離子源, 并沒(méi)有好與不好之分, 主要是看工藝的需求, 適合的才是最合適的.
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