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FQL40N50-ASEMI代理安森美原裝MOS管FQL40N50
型號(hào)：FQL40N50
品牌：ON/安森美
封裝：TO-264
漏源電流：40A
漏源擊穿電壓：500V
RDS（ON）Max：110mΩ
引腳數(shù)量：3
工作溫度：-55℃~150℃
溝道類型：N溝道MOS管、高壓MOS管
FQL40N50特點(diǎn)
40A，500V，RDS(on)= 110mΩ（值）（VGS = 10 V 且 ID = 20A 時(shí)）
低柵極電荷（典型值 155nC)
低 Crss（典型值 95pF)
100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試FQL40N50概述：
FQL40N50是N溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。 這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。
應(yīng)用
照明
小家電
電源
智能家居
