25小時(shí)在線(xiàn) 158-8973同步7035 可微可電回收臺(tái)積電芯片, 回收蘋(píng)果集成電路歡迎有廢舊物資單位及個(gè)人來(lái)電洽談!對(duì)提供成功業(yè)務(wù)者根據(jù)務(wù)量的大小提供適量的業(yè)務(wù)。
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東芝(toshiba)以2009年開(kāi)發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù),從2014年季起開(kāi)始小量試產(chǎn),目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路,東芝與新帝(sandisk)合資的日本三重縣四日市晶圓廠,期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工,q3順利進(jìn)入規(guī)模化生產(chǎn)。而sk海力士與美光(micron)、英特爾(intel)陣營(yíng),也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ,計(jì)劃于2014年q2送樣測(cè)試,快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升,要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間,且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí),故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主,對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng),在明年底以前應(yīng)該還看不到。 MIC2211-AAYML UPD75P116CW UCC27201ADRMR SKY77704-14 SR528 TNETD5800GND200 TPS51120RHBR TPS65820RSHR UPD64015AGM-UEU UPD77P20D TC220C800TB-502(G) TY6701111184KC K4H511638F-LCB3 HD64F3062F20 IDT71024S15Y M54523FP TC7WZ32FK TPS79318DBVRQ1 SI3215-C-FM LT1761ES5-1.8 MC100LVEL11DTR2 PESD3V3L5UF NC7SZ02M5X NC7SZ05M5X BQ24070RHLR