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傳統(tǒng)磁控濺射制備工藝存在一個突出的問題, 當(dāng)離子能量較低時,在濺射沉積過程中會發(fā)生 “遮蔽效應(yīng)”, 會使薄膜結(jié)構(gòu)疏松, 產(chǎn)生孔隙等缺陷, 這直接影響著薄膜的性能.
為提高制備薄膜的致密度, 減少結(jié)構(gòu)缺陷, 提高耐蝕性能, 國內(nèi)某光學(xué)薄膜制造商采用伯東 KRI 考夫曼聚焦型 RFICP 140 用于磁控濺射鍍制 TiN 薄膜.
伯東 KRI RFICP 140 技術(shù)參數(shù):
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型號 |
RFICP 140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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客戶采用離子源輔助磁控濺射鍍膜技術(shù)在 304 不銹鋼和 P 型(100)晶向硅片上制備TiN納米薄膜.
推薦理由:
聚焦型射頻一方面可以增加束流密度, 提高濺射率; 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
運(yùn)行結(jié)果：
1. 通過KRI 考夫曼聚焦型 RFICP 140 濺射作用將優(yōu)先形成的遮蔽效應(yīng), 制備的薄膜具有較高致密度.
2. 減少結(jié)構(gòu)缺陷
3. 提高耐蝕性能
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