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在 LED（發(fā)光二極管 ）封裝工藝工程中, 器件表面的氧化物及顆粒污染物會降低產(chǎn)品的可靠性, 影響產(chǎn)品的質(zhì)量. 某 LED制造商為了保證有效清洗 LED 器件表面的氧化物及顆粒污染物, 采用伯東伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 在LED 封裝前進行離子清洗.
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伯東 KRI 考夫曼 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
|
型號 |
RFICP220 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
|
直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
客戶清洗的工作流程:
在真空狀態(tài)下, 利用射頻源將氬氣電離成高能量的離子去撞擊LED上的有機污染物及微顆粒污染物, 從而使得污染物被轟擊除掉.
為了避免二次污染, 該清洗工藝, 真空度要求10-7 hPa, 客戶采用的是伯東Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 1800 UC, 該型號可以倒裝和抗腐蝕,
伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 HiPace 1800 技術(shù)參數(shù)：
|
分子泵型號 |
接口 DN |
抽速 l/s |
壓縮比 |
啟動壓強mbar |
極限壓力 |
全轉(zhuǎn)速氣體流量hPa l/s |
啟動 |
重量 |
|||
|
進氣 |
排氣 |
氮氣 |
氦氣He |
氫氣 H2 |
氮氣 |
氮氣N2 |
hPa |
氮氣N2 |
min |
kg |
|
|
Hipace 1800 UC |
200 |
40 |
1,450 |
1,650 |
1,700 |
> 1X108 |
1.8 |
< 1X10–7 |
20 |
4 |
33 – 34 |
運行結(jié)果:
1. 從下圖離子射頻清洗氧化膜前后對比可以看出, KRI 考夫曼 RFICP220 有效的清洗除去污染物
從使用和未使用離子清洗的拉力強度對比, 使用離子清洗后鍵合引線拉力強度有明顯增加
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