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不過一向習(xí)慣“求穩(wěn)”的蘋果公司對(duì)基帶研發(fā)其實(shí)早已做好大量準(zhǔn)備。
對(duì)于許多人來說，蘋果是一家擁有芯片設(shè)計(jì)能力的公司，旗下的a系列處理器在性能方面可以說一騎絕塵。
但基帶芯片的研發(fā)難度往往比ap(應(yīng)用處理)要大得多。蘋果僅憑自己的力量是無法完成基帶研發(fā)任務(wù)的，因此在2019年，蘋果收購英特爾智能手機(jī)基帶業(yè)務(wù)。
在過去，能夠供應(yīng)基帶芯片的廠商多達(dá)數(shù)十家。
但是進(jìn)入5g時(shí)代后，還在推出5g基帶產(chǎn)品的廠商僅剩下5位：高通、華為、三星、聯(lián)發(fā)科、紫光展銳。可想而知5g基帶芯片研發(fā)的門檻有多高。
而對(duì)于蘋果來說，想要跳過2g、3g、4g，直接研發(fā)5g芯片更是難上加難。
5g基帶芯片需要同時(shí)兼容2g/3g/4g網(wǎng)絡(luò)，蘋果此前沒有通信方面的技術(shù)積累，還 回頭補(bǔ)課，將花費(fèi)大量資金，且還還不包括和運(yùn)營商做測(cè)試所花費(fèi)的時(shí)間和經(jīng)濟(jì)成本。
不過還好，蘋果收購了英特爾基帶業(yè)務(wù)，可以幫助其減少大量成本。
，蘋果收購英特爾基帶業(yè)務(wù)共花費(fèi)10億美元(約合68億元)，是蘋果公司的收購。
這場(chǎng)的主要成果包括：大約2200名英特爾員工、超過17000件的無線技術(shù)組合。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。 VNB35NV04-E VND14NV04TR-E STD15P6F6AG STF11N65M2 STB36NM60N STB33N60DM2 STDS75DS2F STP7N65M2 STP12N60M2 STP220N6F7 STP23NM50N STP7N60M2 STU12N60M2 STW13N60M2 STW20N65M5 STW35N60DM2 STW36NM60ND STW56N60DM2 STW72N60DM2AG STY105NM50N TN1215-600H STB18N65M5 STB24NM60N STB28NM50N
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