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這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個電流檢測電路測量正反電流，有助于設計人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進一步提高了應用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護功能，器件抗擾能力強，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設計人員快速啟動使用一款器件的開發(fā)項目， 產(chǎn)品上市時間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
flash存儲器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是flash的存儲容量都普遍的大于eeprom，在存儲控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個字節(jié)擦除。 sram是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設來拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由進行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 STB14NK60ZT4 STFW4N150 L7815CD2T-TR STD3NK50ZT4 STP6N95K5 STN3NF06L STD5N20LT4 VND7NV04TR-E VNP35N07-E STD3N62K3 STW38N65M5 STB23N80K5 STB4NK60ZT4 STF13N60M2 VNB10N07-E VND5N07TR-E VNP35N07-E VNP5N07-E VND7NV04TR-E STD3N62K3 VND7N04TR-E VNP20N07-E