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從10月9日開始有收購消息傳出，到現在正式達成收購協(xié)議，僅用時不到20天，并且，amd終以超出先傳聞的300億美元和賽靈思的市值迅速完成收購，不可謂不。
近年來，隨著pc市場整體逐漸平穩(wěn)，包括amd、英偉達及英特爾在內的半導體廠商，都將公司主要業(yè)務向利潤更高且增長空間更大的數據 和人工智能市場傾斜。此前，英特爾公司于2015年以167億美元的價格收購了fpga市場份額老二的altera公司，英偉達今年9月份以400億美元的價格收購英國芯片arm公司，這讓 amd感受到了數據 戰(zhàn)場局面的緊迫性。
amd ceo蘇姿豐在2014年上任后便決定，要大力發(fā)展包括云計算、數據 、人工智能和游戲在內的高新能計算應用技術，現在拍板買下賽靈思的目的就是為了增強其在數據 領域的競爭力。
資料顯示，賽靈思即為現場可編程邏輯門陣列（fpga）芯片的和，在fpga芯片市場擁有42 的份額。
fpga可以說得上是芯片，能夠賦予更為靈活的開發(fā)空間，被廣泛用于消費電子、數據 、5g通信、無人駕駛、等當下諸多前沿科技領域。蘇姿豐在公告中稱，amd與賽靈思的合作，將推進amd采用xilinx產品系列，并將加速amd進入新的市場。
在完成后，amd將在數據 芯片市場正式形成“cpu+gpu+fpga”的產品線，意味著amd將在深入到人工智能、物聯網、航空、5g通信、無人駕駛、航空等領域時，擁有遙遙的競爭實力。
隨著這筆收購案的塵埃落定，三大加速完成市場整合與戰(zhàn)略布局，半導體行業(yè)已經迎來新一輪。有意思的是，在英偉達收購arm公司時，英特爾、高通、特斯拉等多家美國科技竟組成臨時聯盟，集體向美國和其他海外主要市場發(fā)出告，稱該筆不利于芯片行業(yè)的長遠發(fā)展，意圖阻止英特爾與arm的強強聯合。有這一案例在前，amd與賽靈思的結合，或也有可能遭遇相同的告。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。 C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6