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這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個電流檢測電路測量正反電流，有助于設(shè)計人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進(jìn)一步提高了應(yīng)用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護(hù)功能，器件抗擾能力強(qiáng)，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設(shè)計人員快速啟動使用一款器件的開發(fā)項目， 產(chǎn)品上市時間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
處理器（cpu）、繪圖芯片（gpu）運算效能隨摩爾定律而飛快進(jìn)展，加上云端運算、網(wǎng)際網(wǎng)路行動化浪潮下，持續(xù)驅(qū)動動態(tài)存儲器（dynamic ram；dram）的規(guī)格進(jìn)化。從非同步的dip、edo dram，到邁向同步時脈操作的sdram開始，以及訊號上下緣觸發(fā)的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存儲器，甚至導(dǎo)入20 與新型態(tài)的wide i/o介面以降低訊號腳位數(shù)與整體功耗。 處理器速度與云端運算持續(xù)驅(qū)動動態(tài)存儲器規(guī)格的演變，從dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel AD9353BCPZ-REEL LB1836ML-TLM-E PGA116AIPWR M81736FP AO4566 AON6560 ADBS-A320 SN74CBT3125PWR STF16N65M2 LM337LMX/NOPB 853S111BYILFT L3GD20HTR W25X40VNIG TLV71333PQDBVRQ1 TXS0102YZPR 88EM8183B2-SAE2C000TAL04 LP5912-2.8DRVR TL431IPK TLV62569DBVR BQ24123RHLR SD8585STR TPS562209DDCR TPS51200DRCT TPS54061QDRBTQ1 TPS22810DBVR