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珠?;厥战鹗款D221球BGA內(nèi)存MT29F1G16ABBEAH4:E

作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時(shí)間:2023-03-03 瀏覽:15

25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團(tuán)與意法半導(dǎo)體就碳化硅(sic)晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“st”),雙方就碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“sic”)晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的sicrystal gmbh (以下簡(jiǎn)稱“sicrystal”)供應(yīng)事宜達(dá)成長期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下,雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議,由sicrystal(sic晶圓生產(chǎn)量歐洲)向st(面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的性半導(dǎo)體制造商)供應(yīng)的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會(huì)上,發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w,采用氮化,高支持65w疾速充電,搭配小米10 pro可實(shí)現(xiàn)50w快充,體積小巧便攜。
臺(tái)積電將與意法半導(dǎo)體合作,加速gan制程技術(shù)開發(fā)
臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⒔唤o客戶。臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化(gallium nitride, gan)制程技術(shù)的開發(fā),并將分離式與整合式氮化元件導(dǎo)入市場(chǎng)。透過此合作,意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化制程技術(shù)來生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列,完備硅、碳化硅和氮化3種技術(shù)
英飛凌科技(infineon)持續(xù)擴(kuò)展其方位的碳化硅(sic)產(chǎn)品組合,新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應(yīng)用對(duì)于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求,包括:服務(wù)器、電信和工業(yè)smps、太陽能系統(tǒng)、能源儲(chǔ)存和化成電池、ups、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門協(xié)理steffen metzger說,推出這項(xiàng)產(chǎn)品后,英飛凌在600v/650v電源領(lǐng)域完備了硅、碳化硅和氮化(gan)型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。
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