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早在2020年下半年就，手機芯片處于缺貨狀態(tài)。今年，在小米redmi k40 發(fā)布會上小米區(qū)總裁盧偉冰曾提到，“今年芯片缺貨，不是缺，而是 缺”，甚至都不敢承諾今年不會缺貨。 realme 相關負責人也曾說，“高通主芯片、小料都缺貨，包括電源類和射頻類的器件?！?br />
那么芯片缺到什么程度？
，高通系列物料交期延長至 30 周以上，不僅是手機處理器，csr 藍牙音頻芯片交付周期已經達到 33 周以上，pmic 電源管理芯片，mcu 微處理器芯片都有缺貨現(xiàn)象。，這種缺貨狀況至少要持續(xù)到今年年底。芯片為什么會缺貨？
認為美國得克薩斯州受寒流影響，導致奧斯汀的兩家芯片工廠停產，造成芯片產能受限。另外，汽車行業(yè)對芯片的需求，進一步擴大了芯片需求。后，華為、oppo 以及 vivo、一加在內手機廠商都在加大手機產品的備貨數(shù)量，這加大了芯片供需不平衡。缺芯會導致什么？
雖然缺芯，但2021年手機市場顯示出回暖跡象。根據(jù)digitimes research新的數(shù)據(jù)，2021年季度，智能手機出貨量同比增長將達到近50 ，預估為3.4億部。digitimes research估計2021年，的5g手機出貨量將超過6億部，這將遠過一年前的2.8億部
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。 AD8565AKSZ AD8226ARMZ ADA4891-2ARMZ AD8221ARMZ OP1177ARMZ OP282ARMZ OP2177ARMZ MAX176AMJA/883B AS0BC21-S40BM-7H SII9244BOTR K4P2E304EQ-PGC2 K3QF2F200E-XGCB MSM8230-3AB K3PE7E700B-XXC1 K3PE7E700M-BGC2 MPU-6051M SRV25-4-T7 MT53E256M32D2DS-053AIT:B AD8052ARMZ SCV7538B1 P2S56D40BTP KLMBG4GE2A-A001 TWL6032A1BBYFFR SKY77704-4 AD7477ARTZ AD7999YRJZ-1 ADG419BRMZ ADG736LBRMZ MAX1745AUB