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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
嵌入式片上系統(tǒng)(soc)是具有很大包容的集成器件。soc大的特點是實現(xiàn)了軟硬件無縫結(jié)合，直接在處理器片內(nèi)嵌入操作系統(tǒng)的代碼模塊。比較典型的soc產(chǎn)品是philips（菲利普）的smart xa。其它的soc產(chǎn)有siemens（西門子）的tr re，motorola（摩托羅拉）的m-core，某些arm系列器件，echelon和motorola聯(lián)合研制的neuron芯片，等等。 L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT