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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電晶體三 管在電路中常用“Q”加數(shù)字說，如：Q1說編號為1的三 管。電路板上的三 管
1、特點：晶體三 管（簡稱三 管）是內部含有2個PN結，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三 管從工作特性上可互相彌補，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。
常用的PNP型三 管有：9012、9015等型號；NPN型三 管有：9011、9012、9013、9014、9018、等型號。
2、晶體三 管主要用于放大電路中起放大作用，
應用 多級放大器中間級，低頻放大 輸入級、輸出級或作阻抗匹配用高頻或寬頻帶電路及恒流源電路
3、晶體三 管的識別常用晶體三 管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規(guī)律。對于小功率金屬封裝三 管，按底視圖位置放置，使其三個引腳構成等腰三角形的頂點向上，從左向右依次為e、b、c；對于中、小功率塑料封裝三 管，按圖示1-2位置使其平面朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左向右依次為e、b、c 。
在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結構將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導體電路所設計的nand flash非揮發(fā)性存儲器，隨著flash制程技術不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經在智慧手機、嵌入式裝置與工控應用上大量普及。 TLP7820(TP4,E(O TC4424AVPA FP75R12KT3 AD5228BUJZ10-RL7 AD5259BRMZ10-R7 AD5162BRMZ10 AD7691BRMZ ADS7822E/2K5 ADG704BRMZ ADE7953ACPZ ADG884BRMZ SY7301AADC SY8009BABC OB2225NCPA OB3330XCPA OB3636AMP SY8201ABC SY8113IADC SY6301DSC SGM2019-ADJYN5G/TR SGM4917AYTQ16G/TR SY8089A1AAC SY7208CABC SY7072AABC SGM9114YN6G/TR SGM9113YC5G