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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電芯片回收： 回收winbond華邦芯片、回收novatek聯(lián)詠芯片、回收himax奇景芯片、回收mxic旺宏芯片、回收pxi原相芯片、回收cree科銳芯片、回收skyworks思佳訊芯片、回收silicon矽映芯片、回收nvidia英業(yè)達(dá)芯片、回收ams艾邁斯芯片、
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隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時已降為3，000 p/e、24~40個ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫技術(shù)（只儲存單一位元的電荷值），抹寫度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。 C2M0080120D ATA6560-GAQW-N ATMEGA328P-AU ATTINY461A-SUR HS-100B IRFI4019H-117P MCP2551T-I/SN MIC5319-3.0YD5-TR S25FL256SAGMFIG03 CY8CMBR3108-LQXIT CYPD5126-40LQXIT TPA3118D2DAPR TPS65910A3A1RSLR TCA9509DGKR INA197AIDBVR TPS51125RGER TLV9062IDGKR DRV8313RHHR TPS65217CRSLR UCC27282DRCR SC667545VLU6
