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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
掉電不丟失數(shù)據(jù)，容量大，價格便宜 rom英文名read-only memory，只讀存儲器，里面數(shù)據(jù)在正常應(yīng)用的時候只能讀，不能寫，存儲速度不如ram。 prom：（p指的programmable）可編程rom，根據(jù)用戶需求，來寫入內(nèi)容，但是只能寫一次，就不能再改變了 eprom：prom的升級版，可以多次編程更改，只能使用紫外線擦除 eeprom：升級版，可以多次編程更改，使用電擦除CY7C1650KV18-450BZC CY7C1415KV18-300BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1520V18-200BZC TLC6C598QPWRQ1 VND7140AJTR AUIRS2191STR L9347LF-TR VNH7013XPTR-E TLE9180D-31QK TLD2331-3EP A4916KJPTR-T S9KEAZN16AMLC MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AEP MC13892DJVL SPC560P44L3CEFAR SPC5743PK1AMLQ5R SPC560P50L3CEFAR IS45S32200L-7BLA2 VNN7NV04PTR-E VN5E025AJTR-E NCV2902DTBR2G