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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是nvm，其記錄速度也非?？臁?br />
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個(gè)，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
高功率應(yīng)用興起帶來的挑戰(zhàn)們 滿足工業(yè)動(dòng)力驅(qū)動(dòng)或電動(dòng)汽車不斷增長的功率需求。伺服電動(dòng)機(jī)或洗衣機(jī)中的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開始普及。處理功率超過3千瓦的通用逆變器（gpi）越來越普遍。而且，電動(dòng)汽車開始采用高壓電池（從400伏到800伏，甚至更高），從而為hvac使用新的功率拓?fù)浯蛲嘶A(chǔ)。 傳統(tǒng)上，會(huì)利用一個(gè)智能功率模塊，該模塊主要將igbt和二 管與下橋和上橋柵 驅(qū)動(dòng)器結(jié)合在一起。這樣的集成器件簡化了pcb布局，占用了更少的空間，提高了性，提高了效率，并縮短了上市時(shí)間。然而，當(dāng)今市場上幾乎沒有針對在新型高壓電池上運(yùn)行的ipm產(chǎn)品。同樣，只有少數(shù)ipm應(yīng)用于中高功率工業(yè)平臺。因此，例如用于hvac或伺服電動(dòng)機(jī)的壓縮機(jī)的ipm將是復(fù)雜且昂貴的。 L78L05ACD13TR STMPS2171STR UC2844BD1013TR L4931ABD50-TR LD59100PUR ST1S09IPUR LM317LD13TR MC34063EBD-TR ST1L05BPUR TSM1052 STM1061N26WX6F UC3842BD1013TR STPS6M100DEE-TR STPS20M100SG-TR STPS5H100BY-TR STPS745G-TR STPS140AY STTH2R02AFY STTH3L06S STTH2L06A STTH5L06 STTH30RQ06W STTH310RL STTH30RQ06G-TR
