25小時在線 158-8973同步7035 可微可電當(dāng)前芯片產(chǎn)能緊張的狀況將進一步擴大，已經(jīng)影響到了高通公司向三星供貨。根據(jù)，芯片短缺不僅影響到了中低端芯片，高通向三星 galaxy s21 系列手機供應(yīng)驍龍 888 soc 的能力也受到了。目前尚未知曉高通產(chǎn)能受影響的程度，但高通仍有信心實現(xiàn)季度的銷售目標(biāo)。
高通說，“將先 soc 芯片的供應(yīng)，而不是的入門級芯片?！庇幸患也辉竿嘎睹Q的手機制造商說，由于高通公司一系列芯片皆供應(yīng)緊張，因此不得不削減智能手機的產(chǎn)能。
it之家獲悉，小米盧偉冰此前也說，目前智能手機的芯片是 度短缺的。高通即將上任的 ceo cristiano amon 說，目前芯片供大于求的狀況原因之一的美國對華為的，導(dǎo)致手機廠商不得不選擇高通等公司的芯片。
除了手機 soc 這種高附加值芯片，目前電阻、電容、二 管等基礎(chǔ)元器件也面臨著不同程度的漲價，進一步提高了廠商的壓力。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。  MIC2211-AAYML UPD75P116CW UCC27201ADRMR SKY77704-14 SR528 TNETD5800GND200 TPS51120RHBR TPS65820RSHR UPD64015AGM-UEU UPD77P20D TC220C800TB-502(G) TY6701111184KC K4H511638F-LCB3 HD64F3062F20 IDT71024S15Y M54523FP TC7WZ32FK TPS79318DBVRQ1 SI3215-C-FM LT1761ES5-1.8 MC100LVEL11DTR2 PESD3V3L5UF NC7SZ02M5X NC7SZ05M5X BQ24070RHLR