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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？?。
intel是上個生產閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結合eprom和eeprom兩項技術，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結構大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數據壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
驍龍870處理器基于7nm制程工藝，7nm技術相對成熟，在市場上也已經有多款成功的7nm芯片手機贏得用戶喜愛。老技術升級化，具有成熟穩(wěn)定、價格實惠的特點。驍龍888處理器基于5nm制程工藝，5nm是新技術，生產難度高，但相對的整體架構更秀，在晶體管密度方面要過7nm制程工藝。新技術，具有、高成本的特點。 TAS3004PFBR TL5002CDR TPS74801DRCR TPS74801TDRCRQ1 ISL6443IRZ-TK MAX8510EXK28+T MOT3054 SI3010-F-FS DP83901AV DS14C238WM DS14C238WMX ADM202EARNZ-REEL7 AM26C32CNS NC7SZ08M5X NC7SZ126M5X NC7SP57P6X NC7WZ17P6X CLVC1G374QDCKRQ1 TL594CD TXS0101DCKR TIR1000PWR AT24C256W ASM1543 TPS715A33DRVR TLV7113030DDSER MP9495DJ-LF-Z