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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計的nand flash非揮發(fā)性存儲器，隨著flash制程技術(shù)不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。 回收瑞昱音頻IC 回收艾瓦特藍牙芯片回收ROHM電源管理IC 回收INFINEONBGA芯片回收NXP網(wǎng)口IC芯片回收idesyn封裝QFN進口芯片回收NXP聲卡芯片回收HOLTEK合泰藍牙芯片回收瑞昱藍牙芯片回收芯成穩(wěn)壓管理IC 回收semiment封裝SOP20芯片回收INFINEON網(wǎng)口IC芯片回收ELITECHIP電池充電管理芯片回收SGMICRO圣邦微進口IC 回收ATMLE進口芯片回收NS封裝QFP芯片回收maxim/美信穩(wěn)壓管理IC 回收億盟微電源管理IC 回收ELITECHIP隔離恒溫電源IC 回收intelMOS管回收PARADE譜瑞汽車電腦板芯片回收ON封裝sot23-5封裝芯片回收羅姆計算機芯片回收飛利浦芯片