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flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，flash的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設(shè)計(jì)會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。現(xiàn)在的單片機(jī),ram主要是做運(yùn)行時(shí)數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運(yùn)行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導(dǎo)體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：NCP1587DR2G MP1412DH-LF-Z MP2249DQT-LF-Z OPA376AIDBVR OPA2333AIDGKR OPA2378AIDCNR LT1783IS6#TRPBF LM258DR LMV722IDGKR LM258PT LM358DR2G STM809RWX6F SY8089AAAC TPS63700DRCR TPS76050DBVR TPS54610PWPR TPS40210DGQR TPS3839G33DBZR TPS7A3901DSCR W25X05CLNIG WCN-3660-0-79BWLNSP-TR-02-0 TPS51125ARGER G966A-25ADJF11U GD25Q80BSIG
