25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見(jiàn),nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。
當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就 采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(edc/ecc)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題 見(jiàn)于nand閃存,nand的供應(yīng)商建議使用nand閃存的時(shí)候,同時(shí)使用edc/ecc算法。
這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用nand存儲(chǔ)多媒體時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他時(shí), 使用edc/ecc系統(tǒng)以性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,不劃算。
nand器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過(guò)的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。
軟件支持
當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫(xiě)/擦操作和高的用于磁盤(pán)和閃存管理算法的軟件,包括性能化。
在nor器件上運(yùn)行代碼不需要的軟件支持,在nand器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(mtd),nand和nor器件在進(jìn)行寫(xiě)入和擦除操作時(shí)都需要mtd。
使用nor器件時(shí)所需要的mtd要相對(duì)少一些,許多廠商都提供用于nor器件的更軟件,這其中包括m-system的trueffs驅(qū)動(dòng),該驅(qū)動(dòng)被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所采用。
stm32片上自帶flash和sram，簡(jiǎn)單講flash用來(lái)存儲(chǔ)程序的，sram是用來(lái)存儲(chǔ)運(yùn)行程序中的中間變量。本文詳細(xì)分析下如何查看程序中flash和sram的使用情況。  芯片: stm32f105vct6 v-   02 flash和sram介紹TLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR