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MBR10100FCT-ASEMI標準高壓肖特基二極管
型號:MBR10100FCT
品牌:ASEMI
封裝:TO-220AB
正向電流:10A
反向耐壓:100V
浪涌電流:120A
引腳數(shù)量:3
芯片個數(shù):2
芯片尺寸:86MIL
漏電流:20uA
芯片材質:
封裝尺寸:如圖
特性:超薄扁橋
工作溫度:-55℃~+150℃
肖特基二極管概念
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。