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普通晶閘管模塊工作時(shí)高di/dt時(shí)需注意事項(xiàng)

作者:浙江昆二晶整流器有限公司 來源:kunerjing123 發(fā)布時(shí)間:2018-12-25 瀏覽:240
普通晶閘管模塊工作時(shí)高di/dt時(shí)需注意事項(xiàng)

        眾所周知普通晶閘管模塊的di/dt承受能力與其芯片結(jié)溫有直接關(guān)系,di/dt承受能力隨著溫度的上升會(huì)有明顯的下降。因此用戶在使用時(shí)必須保證器件的散熱條件。要求在工作過程中,普通普通晶閘管:Tj≤125°C,高頻、快速晶閘管:Tj≤115°C。

晶閘管模塊


        普通晶閘管模塊的di/dt承受能力實(shí)際反映了器件的電流快速開通能力,它受器件門極觸發(fā)條件影響很大。采用上升率極陡的強(qiáng)觸發(fā)脈沖,可以明顯減小器件開通時(shí)間和開通損耗,增強(qiáng)器件di/dt承受能力。我們建議的觸發(fā)脈沖要求為:
        觸發(fā)電流幅值:IGM = (4至10倍) IGT
        觸發(fā)電流上升時(shí)間:tr小于1μs。
        普通晶閘管模塊在承受過高的di/dt時(shí),會(huì)在其芯片產(chǎn)生局部瞬時(shí)高溫,這種局部瞬時(shí)高溫在長期工作中會(huì)影響器件的工作壽命。因此,使用者在任何時(shí)候,都應(yīng)保證di/dt不應(yīng)超過器件生產(chǎn)廠家給出的規(guī)定值,并且留有一定裕量。
        普通晶閘管模塊的di/dt與其開通損耗關(guān)系極大,普通晶閘管模塊高di/dt應(yīng)用于高頻率場合時(shí),需考慮開通損耗上升引起的結(jié)溫上升,用戶應(yīng)考慮降低器件通過的通態(tài)電流或增強(qiáng)器件散熱能力。
        綜上所述,增強(qiáng)器件局部瞬時(shí)浪涌時(shí)的溫度承受能力,即普通晶閘管模塊結(jié)溫上升越小越好,就能大大提升器件的 di/dt能力。要做到這一點(diǎn),關(guān)鍵是的瞬態(tài)熱阻要小。
        昆二晶普通晶閘管模塊真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對(duì)我們的普通晶閘管模有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!

鄭重聲明:資訊 【普通晶閘管模塊工作時(shí)高di/dt時(shí)需注意事項(xiàng)】由 浙江昆二晶整流器有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.5ix2s.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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