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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

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主要特點(diǎn)：

1. 單個(gè)基片、碎片或帶承片盤的基片(3”-12”尺寸)

2. 適用于實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)

3. 沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅

4. 操作簡(jiǎn)單通過打開室蓋，直接將基片裝入工藝室

5. 可選配一個(gè)ICP 或三極管（Triode）源，三極管可獲得更高密度等離子

鄭重聲明：產(chǎn)品【等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD】由特博萬德科技有限公司發(fā)布，版權(quán)歸原作者及其所在單位，其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫(kù)www.5ix2s.cn)證實(shí)，請(qǐng)讀者僅作參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán)，請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系（qiyeku # qq.com）或【在線投訴】，我們審核后將會(huì)盡快處理。
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