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如何測(cè)量整流橋的好壞？10年ASEMI老工程師3分鐘手把手教會(huì)你如何操作！
作為電源組成部分中的基礎(chǔ)元器件,對(duì)成品電源的重要性不言而喻?？?br />
以說(shuō),一款高品質(zhì)的電源產(chǎn)品離不開(kāi)一款好性能的整流橋器件。那么如果整流橋在使用中
壞了，該如何檢修檢測(cè)呢？那么下面，ASEMI專業(yè)工程師將通過(guò)以下2種方法講解,教會(huì)您
如何測(cè)量整流橋的好壞。
電阻測(cè)試法
電阻測(cè)試法是利用二極管的單向?qū)ㄌ匦?，測(cè)試其正向有電阻讀值與反向截止無(wú)讀
值來(lái)判斷其是否好壞,這套測(cè)量整流橋的好壞方法是很常見(jiàn)的一種。
測(cè)試工具與對(duì)象：一臺(tái)正常的萬(wàn)用表與一款待判斷的整流橋。
測(cè)試條件設(shè)定：萬(wàn)用表打到20K歐姆檔位，紅筆萬(wàn)用表正極，黑筆萬(wàn)用表負(fù)極。
測(cè)試方法與步驟為：紅筆接整流橋負(fù)極,黑筆分別接兩個(gè)交流腳位,若均有讀值顯示則說(shuō)
明負(fù)極與交流之間的兩顆芯片正常；黑筆接整流橋正極,紅筆分別探測(cè)兩個(gè)交流腳位，若
均有讀值顯示則表明整流橋正極與交流間的兩顆芯片為正常。
測(cè)試結(jié)果總結(jié)：若測(cè)試過(guò)程中結(jié)果反饋如上所述,則表示該整流橋4顆芯片均正常，萬(wàn)用
表讀值為該測(cè)試芯片的內(nèi)阻值；若出現(xiàn)非一致的情況，比如數(shù)值為1（無(wú)窮大）則說(shuō)明整
流橋中該顆芯片已經(jīng)損壞。
壓降測(cè)試法
壓降測(cè)試法是利用萬(wàn)用表二極管檔位直接測(cè)試整流橋內(nèi)部二極管芯片的方法，讀值
為壓降的參考值或近似值。測(cè)試方法與電阻測(cè)試法大致類似,也是很常見(jiàn)的一種測(cè)量整流
橋好壞的方法。
測(cè)試工具與對(duì)象：一臺(tái)萬(wàn)用表與一款待判斷的整流橋產(chǎn)品。
測(cè)試條件設(shè)定：萬(wàn)用表打到二極管檔位，紅筆萬(wàn)用表正極，黑筆萬(wàn)用表負(fù)極。
測(cè)試方法與步驟為：紅筆接整流橋負(fù)極，黑筆接整流橋正極，此時(shí)測(cè)試結(jié)果為整個(gè)整流
橋的壓降參考值；如需分別測(cè)試每顆芯片的壓降值，則方法為黑筆接整流橋正極,紅筆分
別探測(cè)兩個(gè)交流腳位；紅筆接整流橋負(fù)極,黑筆分別探測(cè)兩個(gè)交流腳位，此時(shí)所測(cè)結(jié)果為
內(nèi)部獨(dú)立二極管芯片的壓降參數(shù)值。
測(cè)試結(jié)果總結(jié)：上述測(cè)試結(jié)果為該整流橋內(nèi)部二極管芯片壓降的參考值，有示數(shù)說(shuō)明該
芯片正常，可以輔助判斷整流橋通斷與好壞情況。如有非一致的情況出現(xiàn)，比如數(shù)值為1
（無(wú)窮大）則說(shuō)明整流橋中該顆芯片已經(jīng)損壞。
